Memoria per computer sfida il calore di Venere: nuova frontiera per l’informatica

Un nuovo tipo di memoria per computer, incredibilmente resistente al calore, è in grado di funzionare a temperature che sfiorano quelle del pianeta Venere. Questa tecnologia rivoluzionaria apre la strada a molteplici applicazioni in ambienti estremi

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Memoria per computer sfida il calore di Venere: nuova frontiera per l'informatica
Memoria per computer sfida il calore di Venere: nuova frontiera per l'informatica

Un nuovo tipo di memoria per computer, incredibilmente resistente al calore, è in grado di funzionare a temperature che sfiorano quelle del pianeta Venere. Questa tecnologia rivoluzionaria apre la strada a molteplici applicazioni in ambienti estremi, dagli impianti nucleari alle future missioni spaziali della NASA.

Memoria per computer sfida il calore di Venere: nuova frontiera per l'informatica

Memoria resiste al calore: nuove frontiere per l’informatica in ambienti estremi

Gli attuali dispositivi di memoria non volatile (NVM) più resistenti, tra cui le unità a stato solido (SSD), cedono quando la temperatura raggiunge i 300 gradi Celsius (572 gradi Fahrenheit). Tuttavia, gli scienziati hanno recentemente sviluppato e testato con successo un nuovo diodo ferroelettrico (un dispositivo di commutazione a semiconduttore) che ha continuato a funzionare per ore anche a temperature di 600°C.

Questa innovazione apre scenari entusiasmanti per l’utilizzo di computer in ambienti estremi.

L’incredibile resistenza al calore di questo nuova memoria apre la strada a un’ampia gamma di applicazioni per sensori e dispositivi informatici in ambienti estremi, dove in passato sarebbero stati inutilizzabili a causa delle alte temperature.



Impianti nucleari, esplorazione profonda di petrolio e gas, e persino il pianeta più caldo del nostro sistema solare, Venere, ora possono essere monitorati e analizzati grazie a questa tecnologia rivoluzionaria. In questi ambienti ostili, i dispositivi tradizionali si guasterebbero in pochi secondi, mentre la memoria basata su diodo ferroelettrico può resistere per ore, garantendo un flusso continuo di dati cruciali.

Il dispositivo di archiviazione del computer è stato realizzato in nitruro di scandio di alluminio ferroelettrico, che può resistere a temperature estreme.(Credito immagine: Università della Pennsylvania)
Il dispositivo di archiviazione del computer è stato realizzato in nitruro di scandio di alluminio ferroelettrico, che può resistere a temperature estreme.(Credito immagine: Università della Pennsylvania)

Un nuovo materiale per la memoria resistente in ambienti estremi

Il dispositivo NVM, descritto in un articolo pubblicato sulla rivista Nature Electronics, è stato realizzato utilizzando un materiale innovativo chiamato nitruro di scandio di alluminio ferroelettrico (AlScN). Questo materiale, emerso solo negli ultimi cinque anni come opzione promettente per i semiconduttori ad alte prestazioni, rappresenta un passo avanti significativo nella scienza dei materiali.

La chiave del successo risiede nella precisa composizione chimica del dispositivo. Il diodo AlScN, con uno spessore di soli 45 nanometri (1.800 volte più piccolo di un capello umano), è in grado di sopportare temperature estreme senza compromettere le sue prestazioni.

Questa innovazione apre nuove entusiasmanti possibilità per la ricerca scientifica, l’esplorazione spaziale e la sicurezza in svariati settori. La capacità di raccogliere dati in ambienti estremi ci permetterà di comprendere meglio il mondo che ci circonda e di sviluppare tecnologie più resistenti e affidabili per le future generazioni.

Secondo Dhiren Pradhan, ricercatore post-dottorato in ingegneria elettrica e dei sistemi presso l’Università della Pennsylvania, la chiave per il successo di questa memoria rivoluzionaria risiede nello spessore ottimale del diodo AlScN.

Pradhan ha spiegato: “Se il diodo è troppo sottile, l’aumento di attività durante la commutazione può favorire la diffusione e degradare il materiale. Al contrario, se è troppo spesso, la commutazione ferroelettrica, il processo alla base del suo funzionamento, non si verifica in modo efficiente. La tensione di commutazione varia infatti con lo spessore, creando limitazioni in ambienti operativi pratici”.

Per questo motivo, Pradhan e il suo team, in collaborazione con il laboratorio del professor Roy Olsson, hanno dedicato mesi di lavoro alla ricerca dello “spessore Goldilocks”, ovvero quello perfetto che garantisce sia la resistenza al calore che l’efficienza di commutazione.

Questa ricerca accurata ha portato alla realizzazione di un dispositivo in grado di sopportare temperature estreme senza compromettere le sue prestazioni, aprendo la strada a nuove entusiasmanti possibilità per l’utilizzo di sensori e computer in ambienti estremi.

Una delle caratteristiche più sorprendenti di questa innovativa memoria è la sua eccezionale resistenza e durata. I test condotti dai ricercatori hanno dimostrato che i dispositivi possono sopportare un milione di cicli di lettura e scrittura, mantenendo un rapporto on-off stabile per oltre sei ore. Un risultato definito “senza precedenti” dagli stessi scienziati nel loro articolo.

Questo traguardo si basa su ricerche precedenti sui semiconduttori in grado di funzionare a temperature estreme. L’integrazione di questa memoria con un processore aprirebbe la strada alla realizzazione di computer in grado di operare in qualsiasi ambiente, ampliando notevolmente le nostre capacità di esplorazione e analisi in contesti ostili.

Il professor Deep Jariwala, associato di ingegneria elettrica e dei sistemi presso l’Università della Pennsylvania, ha dichiarato: “Dalle perforazioni profonde della terra all’esplorazione dello spazio i nostri dispositivi di memoria ad alta temperatura potrebbero rivoluzionare il calcolo avanzato in scenari dove altri dispositivi elettronici e di memoria falliscono. Non si tratta solo di migliorare le tecnologie esistenti, ma di aprire nuove frontiere nella scienza e nella tecnologia”.

Dhiren Pradhan, ricercatore post-dottorato presso i laboratori Jariwala e Olsson della Penn Engineering, fa parte del team che sviluppa il dispositivo di archiviazione.(Credito immagine: Università della Pennsylvania)
Dhiren Pradhan, ricercatore post-dottorato presso i laboratori Jariwala e Olsson della Penn Engineering, fa parte del team che sviluppa il dispositivo di archiviazione.(Credito immagine: Università della Pennsylvania)

Conclusioni

Come sottolineato dagli scienziati nel loro studio, questa innovazione potrebbe dare vita a una nuova era di dispositivi informatici non basati sul silicio, dove memoria e elaborazione sono integrate più strettamente per affrontare compiti ad alto carico di dati, come quelli nell’ambito dell’intelligenza artificiale (AI).

La memoria resistente al calore estremo rappresenta un salto fondamentale verso il futuro della tecnologia, aprendo la strada a nuove possibilità per la ricerca scientifica, l’esplorazione spaziale, la sicurezza e svariati settori industriali. La capacità di operare in ambienti estremi che prima erano inaccessibili ci permetterà di acquisire nuove conoscenze e sviluppare soluzioni innovative per le sfide del presente e del futuro.

Il professor Jariwala ha sottolineato: “I dispositivi tradizionali basati su minuscoli transistor in silicio faticano a funzionare in ambienti ad alta temperatura. Per questo motivo, si ricorre attualmente alla tecnologia del carburo di silicio, sebbene sia significativamente più lenta del silicio naturale in termini di potenza di elaborazione, ostacolando l’elaborazione di dati complessi in contesti ostili”.

Gli scienziati, tuttavia, sono fiduciosi che un nuovo approccio, che combina memoria resistente al calore e processore in un unico pacchetto ultracompatto, possa finalmente sbloccare l’elaborazione dell’intelligenza artificiale in condizioni estreme, anche su altri pianeti.

Questa innovazione rivoluzionaria potrebbe avere un impatto significativo su svariati campi.

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